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新能源汽車用SiC MOSFET關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)取得階段性進(jìn)展

? ? ? ? 2025年3月4日,國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)軍企業(yè)常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱”銀河微電”)與復(fù)旦大學(xué)產(chǎn)學(xué)研深度合作再結(jié)碩果。雙方成功舉辦”新能源汽車用SiC MOSFET功率器件和模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)階段成果發(fā)布會(huì)”,標(biāo)志著銀河微電在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得階段性進(jìn)展。
? ? ? ?本次發(fā)布會(huì)匯聚產(chǎn)學(xué)研核心力量,銀河微電總經(jīng)理劉軍、技術(shù)總監(jiān)郭玉兵、研發(fā)中心負(fù)責(zé)人莊建軍攜研發(fā)核心團(tuán)隊(duì),與復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰研究員領(lǐng)銜的專家團(tuán)隊(duì)共同出席。雙方圍繞碳化硅功率器件的關(guān)鍵技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用及新能源汽車領(lǐng)域的前沿發(fā)展展開深度研討。
? ? ? ?研發(fā)團(tuán)隊(duì)在成果匯報(bào)中透露在三大核心技術(shù)領(lǐng)域取得階段性成果, 另外,研發(fā)團(tuán)隊(duì)共同發(fā)表了一項(xiàng)發(fā)明專利,兩篇期刊論文,并積極參與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)制定工作, 為標(biāo)準(zhǔn)的科學(xué)性和實(shí)用性做出重要貢獻(xiàn),為推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出積極貢獻(xiàn)。
? ? ? 與會(huì)者一致認(rèn)為,雙方的合作前景廣闊,未來將繼續(xù)加強(qiáng)交流與合作,共同推動(dòng)SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展,助力新能源汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展。此次會(huì)議不僅為技術(shù)的交流搭建了平臺(tái),也為未來的合作奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

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